半导体工艺那些材料很有必要了解

本文摘要:半导体材料可以分成元素半导体和化合物半导体两大类,元素半导体指硅、锗单一元素构成的半导体,化合物指砷化镓、磷化铟等化合物构成的半导体。砷化镓的电子迁入速率比硅低5.7倍,非常适合用作高频电路。

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半导体材料可以分成元素半导体和化合物半导体两大类,元素半导体指硅、锗单一元素构成的半导体,化合物指砷化镓、磷化铟等化合物构成的半导体。砷化镓的电子迁入速率比硅低5.7倍,非常适合用作高频电路。  砷化镓组件在高频、高功率、高效率、低噪声指数的电气特性皆远超过硅组件,空乏型砷化镓场效晶体管(MESFET)或低电子迁移率晶体管(HEMT/PHEMT),在3V电压操作者下可以有80%的功率减少效率(PAE:poweraddedefficiency),十分的限于于高层(hightier)的无线通讯中长距离、宽通信时间的市场需求。

  砷化镓元件因电子迁移率比硅低很多,因此使用类似的工艺,早期为MESFET金属半导体场效应晶体管,后演进为HEMT(高速电子迁移率晶体管),pHEMT(介面突发事件式低电子迁入电晶体)目前则为HBT(异质接面双载子晶体管)。异质双近于晶体管(HBT)是需要胜电源的砷化镓组件,其功率密度(powerdensity)、电流推展能力(currentdrivecapability)与线性度(linearity)皆多达FET,合适设计高功率、高效率、低线性度的微波放大器,HBT为最佳组件的自由选择。  而HBT组件在振幅噪声,低gm、低功率密度、瓦解电压与线性度上占优,另外它可以单电源操作者,因而修改电路设计及次系统构建的可玩性,十分适合于射频及中频发送模块的研制,尤其是微波信号源与低线性放大器等电路。


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